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兆易创新首款DRAM芯片将在2020年展开流片试样

作者:深圳市三爱芯电子有限公司 浏览:191 发表时间:2019-12-30 00:00:00

日前,据报道,兆易创新将公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行股票不超过64,224,315股(含本数),募集资金总额(含发行费用)不超过人民币432,402.36万元,用于DRAM芯片研发及产业化以及补充流动资金。

根据兆易创新公开的计划,至2020年,将完成首款DRAM芯片产品定义,包括市场定位、产品规格设定及芯片设计工作,其中芯片设计包括仿真验证、逻辑整合、时序分析、功能验证、信号与频率布线、版图物理验证等,每个步骤都需要经过反复验证以确保设计的产品实现最优化的性能并能够满足兼容市场上所有系统平台的需求。

定义首款芯片的生产制程,并将经过验证后的设计展开流片试样,经过反复测试、反复修改直到样片设计符合设计规范并通过系统验证,实施时间预计在2020年;对首款芯片试样片进行封装测试,后送至系统芯片商处进行功能性认证,认证完毕后送至客户进行系统级验证,包含功能测试、压力测试、烧机验证等,通过所有验证后完成客户验证,验证完成后进行小批量产,实施时间预计在2021年。

另外,兆易创新将研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。


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